MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-075:E 제조: Micron Technology 및 AS4C512M16D4A-62BCN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 활성
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
브랜드 Micron Technology Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.80 $7.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
데이터 속도 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
CAS 레이턴시 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
인터페이스 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
패키지 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
동작 온도 범위 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
메모리 구성 — 512M x 16
공급 전압 — 1.2 V
동작 온도 — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS 상태 — Compliant
Packaging — Tray

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