MT40A512M16LY-075 vs MT40A512M16LY-075:E 비교

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Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 활성
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075:E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $27.89 $5.80
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 —
Clock Speed 1.33 GHz —
데이터 속도 DDR4-2666 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) 8 banks (4 groups of 2)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
패키지 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
동작 온도 범위 0°C to +95°C 0°C to +95°C
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
메모리 크기 — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1.33 GHz
CAS 레이턴시 — 19
인터페이스 — Parallel
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
RoHS — Compliant

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