MT41K256M16HA-107G:E vs IS43TR16256AL-107MBLI 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107G:E 제조: Micron Technology 및 IS43TR16256AL-107MBLI 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ 활성
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16HA-107G:E IS43TR16256AL-107MBLI
브랜드 Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.00 $2.00
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns 20 ns
공급 전압 1.35V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
인터페이스 Parallel —
패키지 96-FBGA (9x14 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
데이터 버스 폭 16 bit —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
핀 수 96 —
Clock Speed — 933 MHz
데이터 속도 — 1866 Mbps
패키지 / 케이스 — 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Memory Interface — Parallel

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