MT41K256M16LY-107:N vs MT41K256M16TW-107:P 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16LY-107:N 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16TW-107:P 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16LY-107:N | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $16.00 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| 최대 클록 주파수 | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35V |
| 패키지 / 케이스 | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| 장착 스타일 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| 데이터 속도 | — | 1866 MT/s |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| CAS 레이턴시 | — | 13 |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| 패키지 | — | 96-FBGA (8x14mm) |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |