MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16HA-125:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16RE-15E:D 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.20 | $3.10 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gb (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 667 MHz (DDR3L-1333) | — |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| 공급 전압 | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (10x14 mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C (TC) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 11 (typical) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| 핀 수 | 96 | 96 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |