MT41K256M16TG-125 vs MT41K256M16RE-125:D 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16TG-125 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16TG-125 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.20 | $4.19 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (TC) |
| 데이터 속도 | 1600 MT/s | 1600 MT/s |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 11 |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |