MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16MTW-107IT 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16TW-107:P 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16MTW-107IT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16TW-107:P | MT41K256M16MTW-107IT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.00 | $13.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| CAS 레이턴시 | 13 | 13 |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 0.195 ns |
| Technology | — | CMOS |