MT47H64M16NF-25E vs MT47H32M16NF-25E:H 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT47H64M16NF-25E 제조: Micron Technology 및 MT47H32M16NF-25E:H 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT47H64M16NF-25E MT47H64M16NF-25E - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz x16 | Micron

MT47H64M16NF-25E - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz x16 | Micron

MT47H64M16NF-25E ✓ 활성
Micron Technology
MT47H32M16NF-25E:H MT47H32M16NF-25E:H - 512Mb DDR2 SDRAM 400MHz FBGA-84 | Micron

MT47H32M16NF-25E:H - 512Mb DDR2 SDRAM 400MHz FBGA-84 | Micron

MT47H32M16NF-25E:H ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT47H64M16NF-25E MT47H32M16NF-25E:H
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.65 $7.73
메모리 유형 DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM
메모리 크기 1 Gbit —
메모리 구성 64M x 16 32M x 16
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency 400 MHz 400 MHz
데이터 속도 DDR2-800 (400 ps) —
Speed Grade -25E -25E
Number of Banks 8 banks —
Prefetch Architecture 4n-bit —
VDD Supply Voltage 1.8 V +/-0.1 V —
VDDQ Supply Voltage 1.8 V +/-0.1 V —
I/O Interface Standard SSTL_18-compatible (JEDEC 1.8V) —
특징 Differential DQS, RDQS duplicate output strobe, DM data mask, auto precharge, dynamic ODT —
동작 온도 -40C to +95C (IT: industrial) —
패키지 84-FBGA (8 mm x 12.5 mm) 84-FBGA (8 x 12.5 mm)
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
Part Status Production —
Density — 512 Mbit
Output Jitter — 400 ps
공급 전압 — 1.8 V
인터페이스 — Parallel
Operating Temperature (commercial :H variant) — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
On-Die Termination (ODT) — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask Function — Yes
RoHS 상태 — Compliant (:H lead-free suffix)
FBGA Code — D9SBV

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