MT53B128M32D1DS-053 AUT:A vs MT53B128M32D1DS-062 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53B128M32D1DS-053 AUT:A 제조: Micron Technology 및 MT53B128M32D1DS-062 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A - 4Gbit LPDDR4 1.866GHz | Micron
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | MT53B128M32D1DS-062 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $5.45 |
| 메모리 유형 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 128M x 32 | — |
| Clock Frequency | 1.866 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Clock Cycle) | 3.5 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.1 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for base suffix] |
| Grade | Automotive (AUT, AEC-Q100) | — |
| Speed Grade | -053 (1866 MHz) | -062 |
| 인터페이스 | Parallel | LPDDR4 (JEDEC low-power DDR) |
| Memory Format | DRAM (volatile) | Volatile DRAM |
| 패키지 | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Feature | Ultra-low power consumption for enhanced battery life | — |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix variant) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 구성 | — | 128M x 32 |
| 데이터 속도 | — | DDR-3200 (3200 MT/s class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.1 V |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tAA access time] |
| Refresh Scheme | — | [DATA_NEEDED: refresh scheme 1x/2x/4x] |
| Package Case Size | — | 10 mm x 14.5 mm |