MT53B128M32D1DS-053 AUT:A vs MT53B128M32D1NP-062 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53B128M32D1DS-053 AUT:A 제조: Micron Technology 및 MT53B128M32D1NP-062 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A MT53B128M32D1DS-053 AUT:A - 4Gbit LPDDR4 1.866GHz | Micron

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A - 4Gbit LPDDR4 1.866GHz | Micron

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A ✓ 활성
Micron Technology
MT53B128M32D1NP-062 MT53B128M32D1NP-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT53B128M32D1NP-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT53B128M32D1NP-062 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53B128M32D1DS-053 AUT:A MT53B128M32D1NP-062
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $6.05
메모리 유형 SDRAM - Mobile LPDDR4 Mobile LPDDR4 SDRAM
메모리 크기 4 Gbit —
Memory Organization 128M x 32 —
Clock Frequency 1.866 GHz 1.6 GHz
Access Time (Clock Cycle) 3.5 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.1 V —
동작 온도 -40C to +125C —
Grade Automotive (AUT, AEC-Q100) —
Speed Grade -053 (1866 MHz) -062
인터페이스 Parallel JEDEC LPDDR4
Memory Format DRAM (volatile) —
패키지 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Feature Ultra-low power consumption for enhanced battery life —
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix variant) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — 4 Gbit
메모리 구성 — 128M x 32
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Operating Temperature (AUT:A variant) — -40C to +125C (TC)
Operating Temperature (AAT:A variant) — -40C to +105C (TC)
Automotive Qualification (AUT:A variant) — AEC-Q100
Packaging — Tape & Reel (TR variants)
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: MT/s data rate]

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