MT53E128M32D2DS-046 vs MT53E128M32D2DS-053 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53E128M32D2DS-046 제조: Micron Technology 및 MT53E128M32D2DS-053 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron
MT53E128M32D2DS-046 Obsolete사양 비교
| 파라미터 | MT53E128M32D2DS-046 | MT53E128M32D2DS-053 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $3.55 |
| 메모리 유형 | Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDDR4/LPDDR4X unified) | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 128M x 32 | 128M x 32 |
| 데이터 버스 폭 | 32 bit | — |
| 데이터 속도 | 2.133 GHz (speed bin -046) | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) |
| Maximum Clock Rate | 4166 MHz (per Arrow listing) | — |
| Configuration | DDP (Double-Die Package) | DDP (double-die package) |
| 패키지 | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | 0.6 V |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | 1.10 V |
| Operating Temperature (AAT grade) | -40C to +105C | — |
| Operating Temperature (AIT grade) | -40C to +95C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Dry pack, Tape and Reel | — |
| ECCN (US) | EAR99 | — |
| HTS | 8542.32.00.28 | — |
| Automotive Qualification | Yes (per Arrow listing for AAT:A) | — |
| RoHS 상태 | EU RoHS Compliant | Compliant |
| Part Status | Obsolete (per Arrow listing) | — |
| Speed Grade | — | -053 |
| VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Automotive Variant | — | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] |
| Access Type | — | Synchronous, bank-group burst |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |