MT53E1G32D2FW-046 vs MT53E512M32D2FW-046 AAT:D 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E1G32D2FW-046 제조: Micron Technology 및 MT53E512M32D2FW-046 AAT:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 ✓ 활성
Micron Technology
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E512M32D2FW-046 AAT:D ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E1G32D2FW-046 MT53E512M32D2FW-046 AAT:D
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $295.93 $13.75
메모리 유형 Mobile LPDDR4X SDRAM SDRAM - Mobile LPDDR4/LPDDR4X
메모리 크기 32 Gbit (4 GB) 16 Gbit
메모리 구성 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels) 512M x 32
인터페이스 Parallel Parallel
Clock Frequency 2133 MHz (2.133 GHz) 2133 MHz (2.133 GHz)
데이터 속도 4266 Mb/s per pin —
Access Time 3.5 ns —
Write Cycle Time 18 ns —
VDDQ I/O Voltage 0.6 V —
패키지 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm)
Ball Diameter 0.40 mm (SMD balls) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (AUT variant) -40C to +125C —
Die Revisions :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB) —
특징 Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Cycle Time — 3.5 ns
Supply Voltage VDD — 1.1 V
Supply Voltage VDDQ (LPDDR4) — 1.1 V
Supply Voltage VDDQ (LPDDR4X) — 0.6 V
Core Voltage VDD2 — 1.8 V
동작 온도 — -40C to +105C (AAT:D grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 (AUT:D variant verified; AAT:D automotive grade per Micron catalog)
Memory Configuration Speed Grade — -046 (2133)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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