MT53E256M32D2DS-046 vs MT53E128M32D2DS-046 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E256M32D2DS-046 제조: Micron Technology 및 MT53E128M32D2DS-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology

MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology

MT53E256M32D2DS-046 ✓ 활성
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-046 MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron

MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron

MT53E128M32D2DS-046 Obsolete

사양 비교

파라미터 MT53E256M32D2DS-046 MT53E128M32D2DS-046
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.10 $0.00
메모리 유형 LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDDR4/LPDDR4X unified)
Density 8 Gbit 4 Gbit
메모리 구성 256M x 32 128M x 32
Clock Frequency 2133 MHz —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate] 2.133 GHz (speed bin -046)
Core Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Interface Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
패키지 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT grade) [DATA_NEEDED: IT temperature range] —
Speed Grade -046 —
Product Generation MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] EU RoHS Compliant
Automotive Qualification (AUT grade variant) AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) —
Packaging (TR suffix) Tape & Reel (TR) or Tray —
데이터 버스 폭 — 32 bit
Maximum Clock Rate — 4166 MHz (per Arrow listing)
Configuration — DDP (Double-Die Package)
VDDQ (LPDDR4X mode) — 0.6 V
VDDQ (LPDDR4 mode) — 1.10 V
Operating Temperature (AAT grade) — -40C to +105C
Operating Temperature (AIT grade) — -40C to +95C
Packaging — Dry pack, Tape and Reel
ECCN (US) — EAR99
HTS — 8542.32.00.28
Automotive Qualification — Yes (per Arrow listing for AAT:A)
Part Status — Obsolete (per Arrow listing)

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