MT53E2G32D4DE-046 AUT:C vs MT53E2G32D4DE-046 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E2G32D4DE-046 AUT:C 제조: Micron Technology 및 MT53E2G32D4DE-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ 활성
Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $31.50 $57.89
메모리 유형 SDRAM - Mobile LPDDR4X Mobile LPDDR4X SDRAM
메모리 크기 64 Gbit 64 Gbit (8 GB)
메모리 구성 2G x 32 2G x 32
인터페이스 Parallel Parallel
Clock Frequency 2.133 GHz 2133 MHz (2.133 GHz)
Access Time 3.5 ns —
패키지 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bus Width 32 bit —
Grade Automotive (AUT) —
Die Revision C —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Supply Voltage VDDQ [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] 2 mA
Packaging [DATA_NEEDED: tray/reel quantity] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Access Time (Cycle) — 3.5 ns
데이터 속도 — 4266 MT/s max class (-046 speed bin per LPDDR4X interface)
Supply Voltage (VDD) — 1.06 V to 1.17 V
Operating Current (Idd) — 168 mA
Operating Temperature (WT grade) — -25C to +85C
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +125C
Operating Temperature (AIT grade) — -40C to +95C
특징 — Auto precharge, auto self-refresh, ZQ calibration, built-in temperature sensor, write leveling, data mask, asynchronous reset

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