MT53E2G32D4DE-046 vs MT53E2G32D4DE-046 AUT:C 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E2G32D4DE-046 제조: Micron Technology 및 MT53E2G32D4DE-046 AUT:C 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 ✓ 활성
Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E2G32D4DE-046 MT53E2G32D4DE-046 AUT:C
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $57.89 $31.50
메모리 유형 Mobile LPDDR4X SDRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X
메모리 크기 64 Gbit (8 GB) 64 Gbit
메모리 구성 2G x 32 2G x 32
Clock Frequency 2133 MHz (2.133 GHz) 2.133 GHz
Access Time (Cycle) 3.5 ns —
데이터 속도 4266 MT/s max class (-046 speed bin per LPDDR4X interface) —
Supply Voltage (VDD) 1.06 V to 1.17 V —
인터페이스 Parallel Parallel
Operating Current (Idd) 168 mA —
Standby Current 2 mA [DATA_NEEDED: standby current]
패키지 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (WT grade) -25C to +85C —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +125C —
Operating Temperature (AIT grade) -40C to +95C —
특징 Auto precharge, auto self-refresh, ZQ calibration, built-in temperature sensor, write leveling, data mask, asynchronous reset —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Access Time — 3.5 ns
Bus Width — 32 bit
Grade — Automotive (AUT)
Die Revision — C
Supply Voltage VDD — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Supply Voltage VDDQ — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray/reel quantity]

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