N25Q032A13EF4A0F vs M25P80-VMN3PB 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q032A13EF4A0F 제조: Micron Technology 및 M25P80-VMN3PB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q032A13EF4A0F | M25P80-VMN3PB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.25 | $0.75 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC (Serial) | FLASH - NOR Memory IC |
| 메모리 크기 | 32 Mbit (4 MB) | 8 Mbit (1M x 8) |
| 인터페이스 | SPI (Multi-I/O) | SPI |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 3 V (2.7 V to 3.6 V) | 2.7 V to 3.6 V |
| 패키지 | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm | 8-SO (SOIC-8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Read Modes | Standard, Dual, Quad SPI | — |
| Erase Granularity | 4 KB subsector / 64 KB sector | — |
| Grade | Automotive | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: access time] | 8 ns |
| Program/Erase Speed | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T&R) | — |
| 최대 클록 주파수 | — | 75 MHz |
| Page Program Time | — | 0.64 ms typ (up to 256 bytes) |
| 메모리 구성 | — | 1M x 8 bit |
| Erase Capability | — | Sector erase and bulk erase |
| Write Protect | — | Hardware write protect (W pin) |
| Hold Function | — | Yes (HOLD pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |