NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16B4-HR 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRI 제조: Nanya Technology 및 NT5AD512M16B4-HR 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $75.58 | $43.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2V |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |