NT5CC256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DI NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16CP-DI MT41K256M16HA-125
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.90 $6.36
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
메모리 구성 256M x 16 —
Total Density 4Gb —
공급 전압 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V
Speed Grade DDR3-1600 (CL11) —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Internal Banks 8 —
패키지 VFBGA-96 96-FBGA (9x14 mm)
동작 온도 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
인터페이스 Differential clock (CK, CK#) —
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes (programmable) —
RoHS Compliant —
Process Technology 70nm —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
핀 수 — 96
실장 유형 — Surface Mount
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS 레이턴시 — 11

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