TLP183(GB-TPL vs TLP182GB-TPL.E(T 비교

다음의 상세 나란히 비교: TLP183(GB-TPL 제조: Toshiba 및 TLP182GB-TPL.E(T 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 TLP183(GB-TPL TLP182GB-TPL.E(T
브랜드 Toshiba Toshiba
카테고리 Optocouplers Optocouplers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.12 $0.29
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage —
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Input Type DC (InGaAs Infrared LED) AC (dual antiparallel LEDs)
출력 유형 Phototransistor (BJT) Phototransistor (NPN)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
패키지 6-SO (SO6, 4-pin functional) 4-Lead SO6 (SMD)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Forward Current (IF) 50 mA max —
Reverse Voltage (VR) 6 V max —
Forward Voltage (VF) 1.25 V typ at IF=10 mA —
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 80 V max 80 V
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V max —
컬렉터 전류 (Ic) 50 mA max 50 mA
CTR (Current Transfer Ratio) 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank —
동작 온도 -55 C to +125 C —
Storage Temperature -55 C to +150 C —
CTR Rank GB (50-600% range) —
Rise Time (tr) 5 us typ —
Fall Time (tf) 5 us typ —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging TPL (L direction, 3000 pcs/reel) —
Packing Option Code E (RoHS) —
Part Number — TLP182GB-TPL.E(T
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA
Turn-On Time (ton) — 2 us
Turn-Off Time (toff) — 3 us
동작 온도 범위 — -55 degC to +125 degC
Input Forward Current (IF) — 50 mA max
Input Reverse Voltage (VR) — 5 V
Power Dissipation (PC) — 200 mW

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