TSM1285BCSA+T vs MAX1285BESA 비교
다음의 상세 나란히 비교: TSM1285BCSA+T 제조: Silicon Labs 및 MAX1285BESA 제조: Maxim Integrated. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Maxim Integrated
MAX1285BESA - 12-Bit 300ksps SAR ADC with Internal Ref | Maxim Integrated
MAX1285BESA ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | TSM1285BCSA+T | MAX1285BESA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Silicon Labs | Maxim Integrated |
| 카테고리 | ADC/DAC | ADC/DAC |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $7.97 |
| 분해능 | 12 bits | 12 bits |
| Number of Channels | 1 single-ended input | 1 input |
| Converter Architecture | SAR (Successive Approximation Register) | — |
| 샘플링 속도 | 300 ksps | 300 ksps |
| 공급 전압 | +2.7 V to +3.6 V (single supply) | — |
| Supply Current at 300 ksps | < 2.5 mA (typical) | — |
| Internal Reference Voltage | +2.5 V | — |
| External Reference Range | 0 V to AVDD | — |
| 입력 전압 범위 | 0 V to VREF (single-ended) | — |
| Integral Non-Linearity (INL) | [DATA_NEEDED: INL in LSB] | — |
| Differential Non-Linearity (DNL) | [DATA_NEEDED: DNL in LSB] | — |
| Signal-to-Noise + Distortion (SINAD) | [DATA_NEEDED: SINAD in dB] | — |
| Effective Number of Bits (ENOB) | [DATA_NEEDED: ENOB in bits] | — |
| Digital Interface | SPI / QSPI / MICROWIRE-compatible serial | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temp range in C] | — |
| 패키지 | 8-pin SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) | 8-pin SOIC (3.90 mm / 0.154 inch width) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 (unlimited) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | MAX1285BESA |
| Manufacturer | — | Maxim Integrated (now Analog Devices) |
| Converter Type | — | SAR ADC (Successive Approximation Register) |
| Supply Voltage (Analog/Digital) | — | 2.7 V to 3.6 V (single supply) |
| Internal Reference | — | +2.5 V (integrated) |
| 인터페이스 유형 | — | SPI / QSPI / MICROWIRE-compatible serial |
| INL (적분 비선형성) | — | ±1 LSB (max) |
| DNL (Differential Nonlinearity) | — | ±1 LSB (max) |
| 동작 온도 | — | -40 C to +85 C (industrial) |
| Power Consumption (300 ksps) | — | Approximately 6 mW |
| 셧다운 전류 | — | < 1 µA |