UCC27322DGN+UCC27322DGNR vs UCC27322DGNR 비교

다음의 상세 나란히 비교: UCC27322DGN+UCC27322DGNR 제조: Texas Instruments 및 UCC27322DGNR 제조: Texas Instruments. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Texas Instruments
UCC27322DGN+UCC27322DGNR UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN+UCC27322DGNR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 UCC27322DGN+UCC27322DGNR UCC27322DGNR
브랜드 Texas Instruments Texas Instruments
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.31 $0.92
Driver Type Single-channel low-side MOSFET/IGBT gate driver —
Number of Channels 1 1
Peak Output Current 9 A source / 9 A sink —
출력 구성 Split outputs (OUTH/OUTL) for independent turn-on/turn-off Split outputs (OUTH source, OUTL sink)
Input Voltage (VCC) 4 V to 15 V —
UVLO Threshold 4 V (typ) —
Input Thresholds TTL/CMOS compatible —
인에이블 핀 Yes (active-high) Yes (active-high)
Output Polarity Non-inverting —
상승 시간 20 ns (typ, 1.8 nF load) —
하강 시간 20 ns (typ, 1.8 nF load) —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay] —
동작 온도 -40 C to +105 C (DGN); -40 C to +125 C (Q1 variant) -40 C to +105 C
패키지 8-pin HVSSOP PowerPAD (DGN) 3.0 mm x 3.0 mm with exposed thermal pad HVSSOP-8 (DGN) PowerPAD
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Output Architecture TrueDrive bipolar/CMOS hybrid —
RoHS 상태 Compliant Compliant
기능 — Single low-side gate driver
Peak Source Current — 9 A
Peak Sink Current — 9 A
Supply Voltage (VDD) — 4 V to 15 V
Logic Input Type — Non-Inverting (TTL/CMOS)
VIL / VIH Thresholds — 1.1 V / 2.7 V
Rise Time (typical, 1.8 nF load) — 20 ns
Fall Time (typical, 1.8 nF load) — 20 ns
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]

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