W634GU6RB-11 vs W634GU6RB12I 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB-11 제조: Winbond 및 W634GU6RB12I 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB-11 | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.52 | $5.60 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | 11 |
| 공급 전압 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TCASE) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Burst Length | — | 8 |