W634GU6RB12I vs MT41K256M16HA-125IT:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB12I 제조: Winbond 및 MT41K256M16HA-125IT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB12I | MT41K256M16HA-125IT:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $4.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 800 MHz (DDR3L-1600) | DDR3L-1600 |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C (TCASE) | -40°C to +95°C |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Speed Grade | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 11 | 13.75 ns |
| Burst Length | 8 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed | — | 800 MHz |
| 핀 수 | — | 96 |
| Logic Family | — | CMOS |
| Lead Free | — | Yes |