W634GU6RB12I vs W634GU6RB-11 비교

다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB12I 제조: Winbond 및 W634GU6RB-11 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Winbond
W634GU6RB12I W634GU6RB12I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 800MHz | Winbond

W634GU6RB12I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 800MHz | Winbond

W634GU6RB12I ✓ 활성
Winbond
W634GU6RB-11 W634GU6RB-11 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 W634GU6RB12I W634GU6RB-11
브랜드 Winbond Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.60 $13.52
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
데이터 속도 800 MHz (DDR3L-1600) 1866 MT/s
공급 전압 1.35V 1.35V (1.283V to 1.45V)
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
패키지 96-VFBGA (7.5x13mm) 96-VFBGA (7.5x13 mm)
동작 온도 -40°C to +95°C (TCASE) -40°C to +95°C
인터페이스 Parallel Parallel
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes Yes
Speed Grade -12I (DDR3L-1600 11-11-11) —
메모리 구성 256M x 16 —
CAS 레이턴시 11 20 ns
Burst Length 8 —
Clock Frequency — 933 MHz
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

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