W971GG6NB-25 TR vs W971GG6NB-6 비교

다음의 상세 나란히 비교: W971GG6NB-25 TR 제조: Winbond 및 W971GG6NB-6 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Winbond
W971GG6NB-25 TR W971GG6NB-25 TR - 1Gbit DDR2 SDRAM 400MHz | Winbond

W971GG6NB-25 TR - 1Gbit DDR2 SDRAM 400MHz | Winbond

W971GG6NB-25 TR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 W971GG6NB-25 TR W971GG6NB-6
브랜드 Winbond Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.62 $6.42
메모리 유형 SDRAM - DDR2 DDR2 SDRAM
메모리 크기 1 Gbit 1 Gbit
메모리 구성 64M x 16 (8,388,608 words x 8 banks x 16 bits) 8M x 8 banks x 16 bits
Clock Frequency 400 MHz 333 MHz (667 Mbps data rate)
Access Time 57.5 ns [DATA_NEEDED: precise CL-trcd-trp in ns]
Write Cycle Time 15 ns —
인터페이스 SSTL_18 —
공급 전압 1.8 V —
Number of Banks 8 8
데이터 속도 DDR2-800 —
패키지 84-TFBGA (8 x 12.5 mm) 84-ball TFBGA (8 x 12.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Packaging Tape & Reel (TR) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Interval [DATA_NEEDED: refresh interval] —
RoHS 상태 Compliant (all Winbond packaging RoHS compliant per manufacturer) —
Speed Grade — -6 (DDR2-667, 667 Mbps)
Interface Standard — SSTL_18 (1.8 V)
Burst Length — 4 / 8 (programmable)
On-Die Termination — Dynamic ODT (supported)
Data Mask (DM) — Supported
Auto Precharge — Supported
Self-Refresh — Supported
Operating Temperature Range (commercial) — 0C to +85C (TCASE)
Supply Voltage VDD/VDDQ — 1.8 V (typ)
RoHS / Halogen-Free — Compliant / Halogen-Free (per Winbond)
JEDEC Standard — JEDEC DDR2 (DDR2-667 grade)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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