IRF5305STRRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRF5305STRRPBF disebabkan oleh Infineon dan BSC060P03NS3EGATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRF5305STRRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) OptiMOS™ P-channel Trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Suhu Hubungan Operasi -55C to +175C —
Kemasan D2PAK (TO-263) Surface Mount PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +150°C
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga