K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BCNB0 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BFMA disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4B4G1646D-BCNB0 disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3 SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Kadar Data | 1866 Mbps | 2133 Mbps/pin |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.5V | 1.35 V (DDR3L) |
| Kemasan | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Latensi CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Boson Bebas | Yes | Yes |
| Suhu Operasi | — | 0°C to 85°C |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| Antaramuka | — | DDR3L SDRAM |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Bilangan Pin | — | 96 |
| Die | — | D-die |