K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107G:E Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BYH9 disebabkan oleh Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-107G:E disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107G:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107G:E |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Kadar Data | 1333 Mbps | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35V |
| Suhu Operasi | 0 ~ 85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Kemasan | 96FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latensi CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Boson Bebas | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Jenis Ingatan | — | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Antaramuka | — | Parallel |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lebar Bus Data | — | 16 bit |
| Bilangan Pin | — | 96 |