MT41K256M16TG-125 vs MT41K256M16RE-125:D Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16TG-125 disebabkan oleh Micron Technology dan MT41K256M16RE-125:D disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16TG-125 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4 Gbit | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35 V |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Kemasan | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Suhu Operasi | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (TC) |
| Kadar Data | 1600 MT/s | 1600 MT/s |
| Latensi CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 11 |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |