MT41K256M16TW-093:P vs MT41K256M16RE-125:D Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16TW-093:P disebabkan oleh Micron Technology dan MT41K256M16RE-125:D disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16TW-093:P ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16TW-093:P | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4 Gbit | — |
| Organisasi | 256 M x 16 | 256M x 16 |
| Lebar Bus Data | 16 bit | — |
| Frekuensi Klock Maksimum | 1.066 GHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Kemasan / Case | 96-FBGA (8x14) | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Suhu Operasi | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Series | MT41K256M16 | — |
| Product Category | DRAM | — |
| Type | SDRAM - DDR3L | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Kadar Data | — | 1600 MT/s |
| Latensi CAS | — | 11 |
| Kemasan | — | FBGA-96 (9x14 mm) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |