MT41K256M16TW-093:P vs MT41K256M16RE-125:D 比較
詳細並排比較 MT41K256M16TW-093:P 由 Micron Technology 與 MT41K256M16RE-125:D 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Micron Technology
MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16TW-093:P ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | MT41K256M16TW-093:P | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Micron Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit | — |
| 組織 | 256 M x 16 | 256M x 16 |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | — |
| 最大時脈頻率 | 1.066 GHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| 封裝 / 外殼 | 96-FBGA (8x14) | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TC) |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Series | MT41K256M16 | — |
| Product Category | DRAM | — |
| Type | SDRAM - DDR3L | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 資料速率 | — | 1600 MT/s |
| CAS 延遲 | — | 11 |
| 封裝 | — | FBGA-96 (9x14 mm) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |