MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16TW-107:P disebabkan oleh Micron Technology dan NT5CC256M16ER-EK disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Kadar Data | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Latensi CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Kemasan | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| Suhu Operasi | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Antaramuka | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |