MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16TW-107:P بواسطة Micron Technology و NT5CC256M16ER-EK بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| زمن الوصول CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| العلبة | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| الواجهة | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |