1ED3323MC12NXUMA1 vs 1EDN8511BXUSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3323MC12NXUMA1 por Infineon e 1EDN8511BXUSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3323MC12NXUMA1 1EDN8511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,25 $0,54
Função Single-channel isolated gate driver —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Peak Source Current 8.5 A 4 A
Peak Sink Current 9 A 8 A
Number of Channels 1 —
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) 3.1 V to 5.5 V —
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) 9 V to 18 V —
Propagation Delay (typ) 85 ns —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us] —
Protection Features DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-DSO-16-40 PG-SOT23-6-2
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Family EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Temperatura de junção de operação — -40 °C to +150 °C
Contagem de pinos — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT

Fichas técnicas e recursos

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