1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 1EDI60H12AHXUMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | 1EDI60H12AHXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,18 | $1,45 |
| Product Type | Single-channel high-side gate driver IC | — |
| Isolation Technology | Galvanic isolation via coreless transformer | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage Rating | 1200 V | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 10.0 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| Configuração de saída | Separate source and sink (SEP) outputs | — |
| Input Compatibility | CMOS / TTL logic | — |
| Driven Device | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) | — |
| Encapsulamento | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Creepage Distance | 8 mm | — |
| Short-Circuit Protection | Short-circuit clamping | — |
| Nível MSL | 2 (1 year floor life) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Temperatura de operação | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] | -40 C to +125 C |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Número de saídas | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Tempo de subida | — | 15 ns |
| Tempo de descida | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |