1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon e 1EDN7136GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 1EDN7126GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,29 | $1,02 |
| Função | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | — |
| Configuration | Non-Inverting | Single channel, non-inverting |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 1.5 A | 8 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40C to +125C | — |
| Encapsulamento | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| UVLO | — | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| Temperatura de operação | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |