1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et 1EDN7136GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN7126GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,29 | $1,02 |
| Fonction | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | — |
| Configuration | Non-Inverting | Single channel, non-inverting |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 1.5 A | 8 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Boîtier | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| UVLO | — | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |