2EDL8123GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8123GXUMA1 por Infineon e 1EDN7146GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8123GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $1,05
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting TDI (Truly Differential Inductor)
Number of Drivers 2 1
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulamento PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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