2EDL8123GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDL8123GXUMA1 제조: Infineon 및 1EDN7146GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 2EDL8123GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $1.05
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting TDI (Truly Differential Inductor)
Number of Drivers 2 1
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
동작 온도 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
패키지 PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-VSON-10-4
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

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