ADC1415S080HN-C18 vs ADC1213S080HN-C18 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ADC1415S080HN-C18 por Renesas Electronics e ADC1213S080HN-C18 por Renesas Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Renesas Electronics
ADC1415S080HN-C18 - 14-Bit 80MSPS ADC w/ Input Buffer | Renesas
ADC1415S080HN-C18 ✓ AtivoRenesas Electronics
ADC1213S080HN-C18 - 12-Bit 80MSPS Single-Channel ADC | Renesas
ADC1213S080HN-C18 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ADC1415S080HN-C18 | ADC1213S080HN-C18 |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| Categoria | ADC/DAC | ADC/DAC |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $21,40 | $9,45 |
| Resolução | 14 bits | 12 bits |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Sampling Rate (Max) | 80 MSPS | — |
| Sampling Rate (Per Second) | 80M | — |
| Architecture | Pipelined | — |
| Input Buffer | Integrated (wideband) | — |
| Input Type | Single-ended / Differential | — |
| Data Interface | Serial, SPI (configuration); CMOS or LVDS DDR (data) | — |
| Configuration Interface | Serial SPI | SPI / serial control |
| Encapsulamento | 40-VFQFN Exposed Pad (HVQFN-40) | HVQFN-32 (5x5 mm) with exposed thermal pad |
| Temperatura de operação | -40°C to +85°C | -40 C to +85 C |
| Temperature Grade | Industrial (suffix -C18) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 3 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Maximum Sample Rate | — | 80 MSPS |
| Output Interface | — | Serial JESD204A (1 lane) |
| Analog Supply Voltage (AVDD) | — | 1.8 V |
| Digital / IO Supply (OVDD) | — | 1.8 V to 3.3 V |
| Analog Input Type | — | Differential, on-chip buffer |
| Analog Input Bandwidth | — | 1 GHz |
| SNR (typical, fIN near Nyquist) | — | 70 dBFS |
| SFDR (typical) | — | 78 dBc |
| Power Dissipation (typical, 80 MSPS) | — | 130 mW |
| Power-Down Mode | — | Yes (SPI-controlled) |