BSC011N03LSIATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC011N03LSIATMA1 por Infineon e BSC014N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC011N03LSIATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Technology — OptiMOS 5 (shielded-gate trench)

Fichas técnicas e recursos

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