BSC016N06NSTATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon e BSC097N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSTATMA1 BSC097N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS OptiMOS 5
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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