BSC019N04NSGATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N04NSGATMA1 por Infineon e BSC0902NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N04NSGATMA1 BSC0902NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,32
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A 23 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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