BSC019N04NSGATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04NSGATMA1 von Infineon und BSC0902NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04NSGATMA1 BSC0902NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,32
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A 23 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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