BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N08NS5ATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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