BSC030N03LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC030N03LSGATMA1 por Infineon e BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC030N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação