BSC030N03LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC030N03LSGATMA1 제조: Infineon 및 BSZ130N03LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC030N03LSGATMA1 | BSZ130N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | 23 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3 mOhm | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | 2.2 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | 55 nC | — |
| Output Charge (Qoss) | 66 pF | — |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | 4.3 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 69 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 25V / 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | — | 10 A |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 35 A |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 13 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | — | 2.2 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 25 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial (non-automotive) |