BSC030N08NS5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC030N08NS5ATMA1 por Infineon e IPG20N10S436AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC030N08NS5ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Livre de halogênio Yes —
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Configuration — Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação