BSC036NE7NS3GATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon e IAUZ40N06S5L050ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC036NE7NS3GATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |