BSC047N08NS3GATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon e BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC047N08NS3GATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,46 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | 11 mΩ |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |